相機感測器製程遠低於 CPU 製程嗎？

1樓：席子

目前是的。

finFET將製程再次縮小，在效能上將近一步提公升。使CPU更快更省電。

而對image sensor 並不是乙個很敏感的因素。

對於一顆image sensor來講，其pixel部分佔了大部的面積，當然VGA以下的sensor，電路面積佔大頭兒。中高階的sensor其感光的pixel尺寸要獲得更好的感光效果必須保證一定的尺寸，而當前的sensor畫素動轍上千萬，將佔掉整個sensor的大部分面積。在邊邊角角留下些做電路。

這麼大的pixel size 其感光元件也就幾個管子而已，另轉化效率也不取決於製程，所以他對製程並不敏感。當然採用先進製程其電路面積用節省一些，但留下的邊角本身利用率也不高，再加上先進製程對應的晶原加工費用相應較高，權衡之下完全沒必要追求製程。

ps: 不過現在畫素越來越大，對應的數字處理電路在低端製程下device delay 過大不能達到要求的頻率，會促使進行製程的少量提公升。現在畫素已經是炒作點了，其實真正好的效果需要大的感光區，高的訊雜比，以及配套的影象處理演算法，另外還要好的除錯人員。

iPhone 8m的效果秒殺其他手機13m。說得是手機，單反也一樣。

2樓：Juneel

首先，作為乙個rookie級的還被邀回答這個，很是欣慰。

積體電路的工藝尺寸變小，是為了達到降低能耗和提高效能的目的。當電晶體變小了，導通電壓就可以小一點，換一種說法就是啟用能量變小了，這樣可以起到降低能耗，(大家注意了這地方是能耗，不是功耗)。工藝尺寸小的器件的邏輯變換速度就快了，這是達到了效能的提公升。

對於相機感測器的製作工藝這麼大，可能是跟光的頻率有關吧，我們我們知道，光是一種波，為了達到感光器件的頻率跟光的頻率匹配，所以工藝尺寸限制在那個地方了，這就是說，之前也沒有微公尺級的感測器，是不是感測器的工藝就應該定在100nm以上一點點。這個部分純屬瞎掰，娛樂一下，哈哈。

3樓：

CPU把製程做小的意義不僅僅是體積問題，更重要的是功耗發熱問題，越小功耗越小，發熱越少。而cmos沒有這種需求，所以大小並無所謂。同時，保證一定的畫素大小，可以增強成像質量，當然做的又小又好當然是趨勢，但成本也是需要考慮的。

4樓：Tom Zhu

相機CMOS的製造要求與cpu正好相反。製造cpu追求的是在量子隧穿效應的極限之前，器件越小越好。而製造相機CMOS的要求卻是，在合適的解析度之下，感光開口越大越好。

追求畫素是沒有意義的，CMOS，特別是專業相機的CMOS，更多的是追求訊雜比，單個畫素點越大，訊雜比越高，所以CMOS沒必要使用那麼小的製程。