1樓：ldiniiyo
當然可以在片上做濾波電容。看應用和成本綜合考慮，並不是電容做片上成本就高。
有些場合比如手機對pcb面積要求很苛刻，片上電容可以滿足需求那就可以做片上。有些soi工藝會提供deep trench cap，電容密度可以很大。也有文章把貼片電容直接貼在chip上。
這些在power應用中都能見到。如果只是處理小功率訊號就單純濾個波，那更可以了。。
2樓：李彥辰
做在矽片上同時滿足容量是沒那麼容易的，但是有還是有的。
然後呢現在好多電源類晶元已經會把部分電容封裝進去了，減小環路面積降低對外輻射，也算是晶元內部的吧。不過容量還是小外部還是需要，只是不像全在外面那麼敏感了。
3樓：秋風畫扇
除了pcb的uf級別的電容外，晶元內部也是有去耦濾波電容的，尤其對於射頻晶元來說非常重要，因為細微的擾動可能對雜訊和線性度帶來比較大的影響。此外晶元內部還有各種穩壓的電容等等。只不過很多時候我們在晶元的內部是用MOS電容和MOM電容併聯來進行實現的（這樣通常可以節省一半的面積），在版圖上通過在MOS管上覆蓋metal2-8的mom電容來實現（對於40nm,28nm等工藝）。
但是即使通過這種方式進行實現的電容也佔據了非常大的面積，下面這個圖是我設計的乙個LDO的版圖，這一大塊面積也只有幾十pf的大小，所以在晶元內部使用電容時一般都是比較謹慎的，一般都是起到全域性區域性電源地和訊號的增強濾波作用，有時候也被用在電流基準源起到低通濾波的作用。
4樓：jircheis
因為效率問題。晶元內部上mim，搞個0.01mm sqr才到pf級別。按一般decap搞個nf級的，不是嫌晶元不夠便宜?
5樓：汪坤
晶元內部也是有濾波電容的，只是大小一般比片外小幾個數量級，一般都是百pF到nF級別。原因一方面是成本，做到太大比較浪費面積。另一方面是從PDN網路的方面考慮，一般已經足夠使電源網路的諧振頻率降低到百M左右，已經足夠了。
6樓：elmore elmore
槽點滿滿。
首先什麼是晶元內部，板極封裝的pcb算不算晶元內部？
die，package，pcb。為什麼要分成三塊來做？
最後，die裡怎麼就沒有電容了？不僅像其他答案所說的空處填滿decap。特定analog周圍還要圍特定的大cap。
只要需要，肯定是有的啊。不需要的，能在別的地方加的，非要加他幹啥？
7樓：fycokin
我們就放了很多，但是也是layout多餘的面積去盡可能的多方decap,不會專門拿出一大塊地方去放mos cap的，畢竟面積就是錢啊，另外一顆晶元對應很多不同的下游產品公司，有的輸出loading大有的小，一般不會把輸出卡的太多，所以不同的下游公司會根據自己的PCB來放置電容。
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