1樓：west wang
半導體矽片比較了解，簡單給你分一下：
1. 按照尺寸來分：
50mm / 100mm / 125mm / 150mm / 200mm/ 300mm/ 450mm
2. 按照拉晶工藝分：
a. CZ直拉法，這個最普遍，一般用於CMOS/Memory等大部分工藝器件
b. FZ區熔法，一般用於RF/IGBT等
3. 按照使用用途分：
a. 產品片： EPI 外延/ Polish 拋光 / Argon Anneal 退火 / SOI等
b. 測試片： mechnical wafer / particle wafer / control wafer / super flat wafer / special wafer , sucha as oxide/nitride wafer and so on.
2樓：
一種是給太陽能電池板做的矽片，一種是給半導體材料用的矽片。
太陽能用的單晶矽和多晶矽都有，單晶矽會更貴一點，轉化效率也稍微高一些；純度要求沒那麼高，6個「9」（99.9999%）就可以。
半導體矽片用的都是單晶矽，純度要求是11個「9」（99.999999999%）。一般是採用將多晶矽原料融化後採用直拉法拉成矽柱然後切片，做成矽片。
現在主流的矽片尺寸就是8英吋和12英吋，今年12英吋的佔比應該到了75%，並且會延續下去。18英吋的現在也能做出來，但因為投入太高財務上不合算，所以廠家都推遲了18英吋矽片的投產計畫。日本、台灣、德國、南韓、美國的6家公司佔據了94%的市場份額，美國的MEMC(SunEdision）去年剛被台灣GlobalWafer收購。
一般來講，90nm以下製程都是用12英吋的晶圓，生產NAND FLASH、DRAM、CPU、soc啊之類的晶元。8英吋的大部分是生產一些工業級晶元，感測器之類的。當然，矽片也分拋光片、退火片、外延片、SOI之類的，但是大同小異，只是在拋光片的基礎上進行了不同的處理。
3樓：
按摻雜分p型 n型 i型還真沒見過都是低摻雜的p或n按晶向 100 110 111
按大小 2-16寸不等
還有單面拋光雙面拋光薄的厚的 test grade或者prime之類
4樓：李崇
你問的是矽晶圓吧？
從材質硬度上來說，常見的有100,110,111三種。這三種機械強度不一樣。100是最軟的最好加工的，一般的ic和mems都是用這種。111最硬，常用來做功率器件比如igbt什麼的
從尺寸上來說，由2寸到10寸不等，厚度從10微公尺到500微公尺以上不等。
電阻係數忘了範圍了，反正是純絕緣的，到導電率很高的都有。
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