1樓：alterfield
小功率、低電壓等級的，可以不需要電氣隔離。而大功率、高電壓等級的，一般需要電氣隔離。（注：自舉驅動方式不算電氣隔離）只要電路設計的沒有問題，加不加隔離與電路會不會燒壞沒有必然聯絡
2樓：LiMi
高壓（220V或以上）的功率驅動電路，作為產品，是一定需要過耐壓、浪湧、EFT等EMC相關測試的。這些測試並不是憑空出現的，而是所有電器在真實工況中面臨的威脅，經過標準制定者評估和簡化後的測試場景。
對於L相和PE的共模干擾，高壓側的GND到PE同樣會成為干擾洩放路徑。
如果高壓側和低壓控制側沒有做隔離，那麼所有低壓器件都面臨著瞬時高壓的威脅，這樣會使得你設計低壓電路時也必須遵循高壓電路的設計準則，比如放電間距、良好接地等要求，這明顯是不現實的。
因此，出於對低壓控制電路的保護，高壓側和低壓側是一定要隔離的，因為高壓側會直接受到外部干擾的影響，而低壓側一般都會使用隔離電源供電，能夠與干擾隔離開來。
對於理想的接地電路，其實是不需要隔離的，只要做好接地就可以避免所有的干擾。
但所有的電子元器件、線纜、結構件都存在著分布式引數，相對於PE，它們都遍布著電容、電感，因此不存在理想的接地，也就意味著所有的裝置都需要考慮干擾防護的問題，只是干擾的影響程度是否能夠接受。
在較低的電壓下，這些影響很小，容易被無視，但工頻電壓的產品，就很容易將問題暴露出來了。
3樓：Blur
不一定需要隔離，要看具體應用，就是看你的功率管比如mosfet的S級與你的控制電是否能共地。比如H橋明顯上管和下管不可能使用同乙個電位。你說的好多驅動晶元實際上就是使用電容來產生乙個浮動的點位，我印象裡這種叫自舉之類的。
當然如果你完全使用隔離驅動比如使用光偶或者磁隔離肯定是更好一些，你就不需要考慮電位的問題了。
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