1樓：summerwind
我之前不理解的原因在於被誤導，很多的回答都說空穴在移動，其實空穴不能移動就算加電場都不行，電場只能影響自由電子去做漂移。從而產生空穴。空穴是一種現象而本非實際物體。
這就是為什麼加了反偏的電壓，導致n區的電子通過外接電場通過外接的電源導線跑到電源的正極。從而在在n區形成逐漸形成更多的空穴。而p區是通過負極獲得了更多的電子，更多漂移過來的電子和形成的空穴形成了乙個與電源對壘的電動勢，此時電流為0，即為截斷。
其實在反偏的時候電子也是可以從p區到到n區，只是p區而言，電子是少數載流子構不成大電流。就算失去了電子，也會被負極補上，形成新的對壘沒有電流。（以上均屬個人瞎幾把理解）
2樓：Warren
如果把一塊本徵半導體的兩邊摻入不同的元素，使一邊為P型，另一邊為N型，由於P型區N型區兩邊的載流子性質及濃度均不相同，P型區的空穴濃度大，而N型區的電子濃度大，於是在交介面處產生了擴散運動。P型區的空穴向N型區擴散，因失去空穴而帶負電；而N型區的電子向P型區擴散，因失去電子而帶正電，這樣在P區和N區的交界處形成了乙個電場（稱為內電場）。在內電場的作用下，電子將從P區向N區作漂移運動，空穴則從N區向P區作漂移運動。
經過一段時間後，擴散運動與漂移運動達到一種相對平衡狀態，在交界處形成了一定厚度的空間電荷區叫做PN結。
3樓：陳小青
不存在n區自由電子動能》電源自由電子這種說法，首先n型和p型半導體接觸，在接觸的地方由於兩邊電子空穴濃度不一樣，n型地方的電子往p型地方走，p型地方的空穴往n型的地方走，最後的結果就是在p型材料和n型材料接觸的地方會形成乙個空間電荷區，n型一側是正電荷，p型一側是負電荷，因而會形成乙個內建電場，pn結的正偏和反偏都是通過與內建電場相互作用，正偏削弱內建電場，反偏增強。另外電場的計算可以通過用泊松方程來計算，通過積分電荷，因此正偏時，內建電磁減弱，空間電荷區縮小，反之，拓寬
PN結正向和反向偏置時載流子是如何運動的？
本質就是兩種載流子的運動消長問題。P和N型半導體接觸時，會自發的形成電子流向P而空穴流向N,這就客觀上形成了乙個由N指向P的電場。這個電場必然是要有抵消原始的電子流和空穴流的趨勢 說白了就是電場的產生是要防止電子源源不斷地從N到P，空穴源源不斷地從P到N 因此電場所產生的作用就是相反的，即，阻止電子...
關於PN結形成，為什麼P區呈現負電？
拿了桔子跑啊 你在問題的描述中有一點就說錯了 在p區和n區未接觸前它們都是中性的 那麼接觸之後由於擴散作用 p區送走了一些空穴得到了n區來的一些電子從而會顯負電 JDI 看了一下別的回答，回答來回答去反而更複雜，你這個問題根本原因是沒理解P型半導體與N型半導體。P型半導體參雜3價硼，形成4對共價鍵的...
電子控制類學科有從PN結開始，綜合模電 數電 微機原理，微控制器原理及應用等綜合講述微控制器發明史的課嗎？
The ART of Electronics，中文譯本 電子學 哈佛出品，完美地涵蓋了你需要的內容。不過是4年的教材，並且每一章深入攤開都是額外的一摞書。展開的話，從電子到code level 1 半導體物理學電晶體原理 level 2 電路分析模擬電路設計數位電路設計 數字邏輯設計 level 3...