1樓：yira
第乙個問題
1，在正式開始設計乙個產品之前，必須要選好工藝，因為只有選好工藝，才可以從晶元製造商那裡拿到設計乙個電路所需要的各種庫或者子電路（專業術語叫PDK,DK,IP），有了上面所說的這些東西才能開始搭電路，設計晶元。
2，設計完電路之後就要讓工廠開始生產了，用了A廠的工藝，就必須在A廠生產，不能去別的廠生產，因為那些庫什麼的不通用。
3，用了乙個尺寸的工藝，也不能換別的尺寸的工藝，因為用乙個別的尺寸的工藝，需要有新的規則，庫或者子電路也可能不一樣，不是僅僅按照工藝尺寸比例縮放就可以的。
4，所以說在決定乙個設計之前要選好需要的工藝。
第二個問題
你所說的10奈米工藝，一般都是說晶元的製程。至於多少奈米的工藝是按照裡面器件某個屬性可以達到的最小值來定的
2樓：
樓上回答怎麼都答非所問呢…
當然不同種類的IC需要不同的Line，就光模擬IC和數字IC差別這麼大，就必定需要不同的Line，那麼我們就說說數字IC吧。
數字IC最常見的就是CPU、GPU（邏輯IC），快取類（DRAM），儲存類（Nand flash），這三類也需要不同的Line。因為每一種IC的製造流程、所需的gas、使用的chemical等都不一樣。很多特氣和化學品都是劇毒或者很危險的，都需要不同的儲存裝置，所以不同的Fab或者不同的Line所需的原料都是不同的，哪個Fab能在周邊做出好幾個GCS（Gas、chemical的儲存中心）。
其中最主要體現在CVD、Metal、CLN這些工藝上，而Etch、IMP也需要各種不同的原料。
而且不僅需要不同的原料，不同的原料當然需要不同裝置，如果乙個FAB突然要把CPU計畫改成DRAM的，那麼這些裝置裡大部分都不是通用的，那麼堆在乙個Line裡幹嘛。
所以你可以發現各個公司不同的Fab都在生產某一種特定的IC。
你說的10nm之類的是半導體裡最主要的判定方法，叫做CD（關鍵尺寸），指著一種型號IC的柵寬工藝。
3樓：
知呼首答還是獻給了從事了13年的行業。
簡單來講，半導體就好比白紙上畫畫。然後把畫好的紙一層一層疊蓋起來。10nm就是你可以用的最細的筆，當然大部分其他區域的圖案還是要用粗筆來畫，不然10nm的畫筆可是很費錢的哦（基本是按億美元算的）。
10nm只是說明你有這個能力畫這麼細的線條而已。一般8寸矽片能用到90nm，12寸的好像台積電做的iphone6s cpu用的20nm,sumsang做的CPU用的是14nm.
10nm的目前應該有但還沒有成熟穩定使用的公司。
4樓：
半導體不同的產品都需要不同的生產線嗎？
需要。CPU這些東西使用的是CMOS標準工藝，能夠使用標準工藝製造的電路一般都會使用標準工藝製造，因為成本比較低，還能和控制電路整合在一起。
analog 電路可能會落後digital 幾代的製程，但使用的工藝還是一樣的。而且整合在同一晶元上的analog 電路你想用舊工藝也用不了了，只能跟著digital 走……
但是也有些產品需要標準工藝不相容的特殊工藝。比如各種MEMS器件，可能會需要鍵合、KOH 腐蝕之類的工藝。還有超低雜訊放大器會需要一種特殊的不能COMS相容的BJT。
這些就必須使用特殊的工藝線了。
不過現在主流傾向是一切向CMOS相容靠攏，畢竟成本上的優勢會比較大。
哦，對，還有各種分立原件的半導體器件（BJT、MOSFET、Diode），它們很多都不會用積體電路的生產線啦……
平常所說的10nm工藝是指所有產品的工藝還是單指晶元的工藝？
所有產品的工藝都可以用特徵尺寸來表徵，這只是代表了工藝的加工精度，不管什麼工藝都是有精度的嘛。
只是這個引數對特殊工藝來說可能不是最重要的引數了。
5樓：maythe4thbewithu
瀉藥。「半導體不同的產品都需要不同的生產線嗎？」
有的是有的不是。
不同的產品完全可以用同乙個生產線，比如TSMC的16nm線既可以為蘋果生產他們的A9處理器，也可以為海思生產Kirin950。海思Kirin950
蘋果A9處理器
還有三桑的14nmFinFET線，既可以為三桑自己生產自家的Exynos 7420，也可以為高通生產Snapdragon820。
三桑的Exynos740
高通的驍龍820
但是這種22nm以下FinFET工藝線可以生產任何一種晶元嗎？
不能。有些晶元需要實現一些特殊一點的功能，比如需要較高的耐壓，這種FinFET CMOS工藝可能做不了。或者對於一些模擬晶元，也沒必要基於這種最先進製程的工藝進行晶元的開發，畢竟這些工藝還是主要針對SOC開發的，高效能的模擬電路一般還是基於成熟的工藝開發，通常模擬的工藝要比數字工藝落後幾代。
「平常所說的10nm工藝是指所有產品的工藝還是單指晶元的工藝？」
這個問的不夠專業，10nm工藝指的是CMOS電晶體溝道的最小長度，也就是所謂的特徵尺寸。它當然只是說的是單個晶元的工藝，就是說這片晶元中用到的電晶體最小長度可以達到10nm，一塊電路板上可以有很多晶元，處理器可以用到上面說的當前最先進的工藝，儲存器的工藝也通常比較先進，至於其他諸如射頻端晶元、WIFI晶元、有些單獨的電源管理晶元（比如現在手機經常用到的快充功能需要它來實現，但也有整合在SOC內部的，比如聯發科的屌絲高階旗艦型處理器曦力X10，它就在內部整合了電源管理的模組，但是像之前華為的榮耀7的快充功能則是通過TI的PMU晶元實現的），則很難用到10幾、20幾nm的製程，甚至在功率器件那裡則壓根不是用的CMOS工藝，我們根本無法談論這種功率晶元是用多少nm製程工藝實現的這種問題。
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