1樓：EE大法
你問的問題有點太大了，微電子前景，國際上各個半導體巨頭也在苦惱，摩爾定律很大程度上指導了CPU(DSP)，儲存器這些數位電路的發展，其實：
這個藍圖早就提出來了，畢竟基礎科學是有限的，雖然聽說IBM在搞7nm先進工藝開發，不過more moore總是要有極限的，光刻啥的突破不了奈米尺度。所以more than moore提出，搞些個功能整合嗎，不追尋整合度了，什麼射頻，功率半導體，MEMS，感測器，生物晶元巴拉巴拉就來了。
另外3D電晶體，也叫FINFET嗎，這個是UCB大牛華裔教授胡正明教授發明的，現在被廣泛應用在各個FAB上，咳咳，也許你半導體物理與器件沒學過吧，裡面講的是整合度提高，器件尺寸等比縮小，帶來一堆效應，什麼短溝效應、熱電子效應、強電場巴巴拉拉一堆。
然後這個玩意兒把平面柵設計成魚鰭式的三維的柵，總而言之加強了柵控能力，提高了管子的效能。
功耗降低是FAB思考的問題，我猜你感興趣的是設計吧
2樓：彭謨威
嗯，把第三個問題說明一下。
3D電晶體有什麼不同。。
首先，我們的傳統平面工藝裡，一次性在晶圓（wafer）上把所有的器件全部加工而成，但是，往往會有描述，多少層多少層的說法。那麼這個層是指，在第一層把器件全部做好之後，在往上做連線，一層層的金屬連線。
再者，這些器件在加工的時候，我們的器件引數，特徵尺寸，即柵長，是一維描述。。
所以這是2D平面加工工藝。
3D的電晶體呢，主要是把溝道凸出來了，尺度有有X,Y兩個引數，所以是3D的。
3樓：
3D封裝技術的出現，對於摩爾定律有一定影響，它提高了器件的整合度。而對於新型材料的不斷研究也會打破定律，問題的關鍵是高校或實驗室到底能不能做到並推廣到產品開發。
4樓：
摩爾定律主要針對於以矽為基礎的電子元器件的積體電路，越來越受到限制！現在不得不找到新的半導體材料來替代，石墨烯良好的導電導熱性能有望代替，但是石墨烯自身原有的零帶隙不符合半導體的特點.目前輝鉬具有與石墨烯相仿的機構特性，具有良好的半導體效能有望發展為新型半導體材料，除此之外還有砷化鎵，氮化鎵~也是目前都很熱的半導體材料，這些材料的研究就是想打破摩爾定律的限制！
3D電晶體方面不是很了解~
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