磁控濺射靶材現在在向什麼方向發展?

時間 2021-12-23 08:58:30

1樓:中諾新材

濺射靶材向大尺寸、高純度化發展

高純金屬濺射靶材主要應用在晶圓製造和先進封裝過程,以晶元製造為例,我們可以看到從乙個矽片變成乙個晶元需要經歷7大生產過程,分別是擴散(ThermalProcess),光刻(Photo-lithography),刻蝕(Etch)、離子注入(IonImplant),薄膜生長(DielectricDeposition)、化學機械拋光(CMP),金屬化(Metalization),每個環節需要用到的裝置,材料和工藝一一對應.濺射靶材就是被用在"金屬化"的過程中,通過薄膜沉積裝置使用高能的粒子轟擊靶材然後在矽片上形成特定功能的金屬層,例如導電層,阻擋層等.

濺射靶材的技術發展趨勢與下游應用領域的技術革新息息相關,隨著應用市場在薄膜產品或元件上的技術進步,濺射靶材也需要隨之變化.

在下游應用領域中,半導體產業對濺射靶材和濺射薄膜的品質要求最高,隨著更大尺寸的矽晶圓片製造出來,相應地要求濺射靶材也朝著大尺寸方向發展,同時也對濺射靶材的晶粒晶向控制提出了更高的要求.

濺射薄膜的純度與濺射靶材的純度密切相關,為了滿足半導體更高精度、更細小微公尺工藝的需求,所需要的濺射靶材純度不斷攀公升,甚至達到99.9999%(6N)純度以上.

靶材作為重點鼓勵發展的戰略性新興產業,並出台產業政策,"十三五"提出,到2023年重大關鍵材料自給率達到70%以上,初步實現中國從材料大國向材料強國的戰略轉變.目前中國企業在靶材領域已陸續取得突破,在現在的經濟背景下,國產靶材必將取得長足發展.

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