1樓：繪丶心
幾個需要注意的地方：
1、非自對準工藝需要先進行有源區摻雜，即自對準工藝是先做柵，再做有源區摻雜，非自對準工藝是反著的。這點非常重要。
2、為什麼要用自對準工藝？因為非自對準工藝，在進行有源區摻雜時，必須把溝道區域擋住，而且擋住這個區域必須要和柵恰好對準，這對兩步光刻的套刻偏差要求比較高。而且為了保證溝道區域上面一定有柵，柵一般會設計得和源漏乙個overlap，導致有很大的交疊電容，影響mos管的高頻特性。
3、自對準工藝有什麼問題？由於源漏摻雜一般為高能離子注入，並且伴隨1000℃以上的退火。這要求柵必須是耐高溫的材料。
一般自對準工藝用的柵都是多晶矽柵。而現在先進工藝的電晶體，大部分為金屬柵，因為金屬可以選擇與矽更匹配的功函式，以達到更好的閾值電壓。所以先進工藝大部分已經放棄了自對準工藝，關於這個2023年後還有爭論到底是先柵還是後柵（自對準與非自對準），和換高k介質並稱intel敗人品的黑歷史.
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