1樓：Anadog
SRAM bitcell是工藝特別調整的，跟普通的邏輯器件不一樣。
bitcell主要考慮density，因為在晶元上佔的比重大，效能上是有犧牲的。
2樓：王勇
說說幾點自己的經驗：
隨著工藝尺寸越來越往下走，漂移（Variation）帶來的影響越來越凸顯出來。而SRAM的特性，對Variation更加敏感。
1. 一般我們用到SRAM的地方，都是要求速度快的。所以，SRAM中一般用小訊號放大電路。
打個比方。邏輯電路中，一般是全VDD翻轉。SRAM中，掌管讀取的放大電路通常能最小識別50mV的訊號差。
然後為了保險，我把SRAM讀取出的電壓差調到100mV。這下總能妥妥的讀對吧？可事實上，最壞情況是，這100mV，被讀取的Cell本身的漂移說不定耗了幾十，它的隔壁鄰居的漏電說不定再耗點，然後放大電路本身因為漂移又只能識別60mV以上的電壓差了。
好吧，這下說不定就掛了。。。。
2. SRAM中cell的個數是很多的，乙個1Kx64的SRAM就有1024*64個cell了。而通常，乙個CHIP裡面，SRAM不會只用乙個，幾十上百個都正常。
而我們知道，你的基數越大，出現最差情況的概率就越大。因為Variation通常是呈正太分布的。和SRAM打交道的，通常是CPU，出不得差錯啊。
3. 正因為SRAM比普通邏輯單元的容錯率差很多，而增加W/L是減小漂移的乙個直觀方法，所以我們一般不會用最小尺寸來設計SRAM單元。
3樓：
Small Signal Sensing的問題在Sense Amplifier上：
SA 的 Offset 直接取決於面積，導致其面積比例不斷上公升，影響整體面積的縮小。
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