1樓：Dr.張狒狒
首先，常溫下延展性嘛，你把bcc的密排面和fcc的密排面拉出來看一看，看哪個結構看起來穩定？最密堆積還是最穩定的嘛，畢竟等徑球模型對絕大多數最外層為s電子的金屬還是很保真的，當然，最外層有p電子的金屬就不一定了。
hcp的問題在於很難保證它是完美的hcp結構，就是c/a比的問題，如果不是接近完美的c/a比，那在低溫下就只有乙個基面可以作為滑移面進行滑移，而高溫下c/a比會發生一定變化，提高延展性。
（課後思考題：所以為什麼同樣是等徑球模型，各金屬會有不同的結構？）
至於韌脆轉變嘛。
分子模擬的形變實驗中，FCC即使在極低溫度下依然可以生成partial dislocation（半位錯）。
在分子模擬中，我們觀察到的主要是這種stacking fault（層錯）在容納機械拉伸所造成的形變。或者說，如果結構限制了重排，當拉應力做的功（彈性勢能）大於等於表面能的時候，便會在材料內部生成表面，產生斷裂，這種斷裂就是脆性的啦。
所以啊，分子模擬拉出來的應力應變曲線通常都是上圖這樣鋸齒狀的。沒有缺陷和雜質的純金屬在分子模擬中都表現了極好的延展性，fcc金屬中更多生成的是partial dislocation，而bcc金屬由於密排面結構的原因並不容易進行partial slip形成partial dislocation，更多的是full slip <110>。
重排形成層錯是需要耗能的，生成這種stacking fault的能量稱為stacking fault energy（層錯能），其實也不是所有的fcc金屬都有極低的層錯能。
partial dislocation能量低，full dislocation能量高，相對應的，生成full dislocation的時候，更容易積累達到在某些位置生成表面的能量，進而直接快進到脆性斷裂。
另一方面，partial dislocation形成過程不太容易在晶界積累「多餘空間」（excess volume）畢竟位移小，而full dislocation更容易在晶界留下一些空位。這些空位嘛，自然是會產生應力集中進而生成微裂縫啦，微裂縫擴張也就脆性斷裂了。
高溫下，原子間距離遠了，作用力沒有那麼強了，滑移/重排容易發生了，彈性勢能不容易積累了，表面不容易在材料內部形成了，自然就不容易發生脆性斷裂了。
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