1樓：英飛凌
在功率器件應用中，我們需要盡量降低器件的損耗，從而減少發熱、降低結溫。所以我們需要快速的關斷過程，以減少關斷損耗；但開通過程考慮到反併聯二極體的耐受問題，往往不能太快。所以在很多應用中工程師會選擇較大的開通電阻和較小的關斷電阻，用來達到較小的source電流和較大的sink電流。
如果IGBT驅動晶元sink電流比source電流大，那麼工程師就可以選擇同樣的開通/關斷電阻，減少設計成本，簡化BOM表。
2樓：孟小孟
怎麼也得10K的開關頻率。
這個英飛凌H5系列的IGBT晶元是可以實現的，損耗也還好。100KW的功率至少需要econo2的封裝，感覺可能不夠。
也可以上三電平降低損壞。
個人感覺用SIC混合型的拓撲可能會有很好的實現。
3樓：Alex Quan
不知道母線電壓怎麼樣，不過功率是100kW的話，應該是低壓電機？
這種情況，可以用併聯交錯來提高等效頻率。假如是兩個交錯的話，每個開關在5kHz的話，電機控制可以在10kHz上實現。另一方面併聯也起到了分流的作用，當然前提是差模和共模環流足夠小的情況下。
這個是我剛做完的乙個專案。
4樓：
基頻是1k，單純地實現這個的話，一般igbt都可以啊，只是功率大的話有可能要併聯器件，是有些難點；但是好像器件開關頻率和輸出波形基頻的比值是有限制的，必須要大於某個值，不然會有嚴重的諧波（只是對這個概念有個印象，不敢保證正確性 ）；所以基頻這麼高的話，選用sic器件會合適，但是貌似開關頻率還是不夠（因為目前sic器件比較可靠的驅動頻率是在100k以內）
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