1樓：愛吃大蝦的貓咪
（1）時間特性
半導體對光的吸收有兩個特徵弛豫時間。乙個是帶間躍遷弛豫時間，乙個是導帶內子帶熱平衡弛豫時間。帶間躍遷時間是受激電子由導帶向價帶躍遷的時間。
這個時間通常較長，在幾皮秒到幾百皮秒不等。這不是啟動鎖模的主要因素，但要求必須小於脈衝在腔內往返一周的時間，否則容易引起調Q鎖模。對鎖模的啟動起較大作用的是導帶內子帶熱平衡弛豫時間，因為它要短得多，在100 fs量級。
但這一時間一般取決於材料本身的特性，無法人為進行控制。
（2）特徵引數
調製深度指的是可飽和吸收體飽和前後反射率的變化。一般來說，脈衝寬度τp與可飽和吸收體的調製深度成反比，大的深度調製可以獲得更短的脈衝，同時可以降低對鎖模自啟動的要求。但是調製深度並不是越大越好，調製深度過大會導致自調Q的發生。
而且調製深度過大會帶來較大的飽和損耗。
非飽和損耗指的是可飽和吸收體在飽和狀態時仍然存在的損耗，這些損耗包括底層反射率不足百分百的部分、表面粗糙造成的散射損耗、雜質和缺陷產生的吸收等。
2樓：薛丁格的機器貓
看您是在光纖還是固體雷射器鎖，但據我和做固體的師兄的經驗，只要弛豫時間不要選的過大（Batop也沒那麼大的），500fs、1ps和3ps的做出的結果差不多，鎖模脈衝寬度主要是由腔內色散決定，若想做到few cycle，三階色散和增益介質的增益譜也要考慮進去，如果是光纖雷射器，在腔內功率太高時候還要考慮SPM帶來的影響。
3樓：
可飽和吸收體？
1.Keller, U. Recent developments in compact ultrafast lasers.
Nature 424, 831–838 (2003).
2.Encyclopedia of Laser Physics and Technology
先說結論：
弛豫時間不能太長，大於脈衝round-trip time就形成不了週期性脈衝了。弛豫時間也不能短於脈衝寬度。一般來說，相對於最後的脈衝寬度而言，弛豫時間大概是10-30倍。
具體可以參見
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