越靠近晶圓圓心,切割出來的 CPU 體質(質量)更好嗎?

時間 2021-12-25 15:22:47

1樓:天海之藍

陸芯半導體晶圓切割技術已經非常成熟了,公司在深圳,而且切割精度可以達到1微公尺,可切割12英吋晶圓,半導體材料,相容8英吋、6英吋切割,我就在這裡工作,機器已經做到批量生產了

2樓:冬瓜哥已被Jin言

這問題並不是異想天開。那些調侃的回覆其實比較無知。做晶元其實就像蒸饅頭一樣。

同樣的步驟,你蒸出來就是死麵的疙瘩,為什麼?你是否知道蒸饅頭時開著抽油煙機,蒸出來的品質都有變化。何況蒸晶元。

至於中間的是否品質更好,我不專業,但是我認為一定有些許區別,這個和氣壓,溫度等環境都有影響。你說他是風水學,也不為過。

3樓:白嘉義

測試圓片的時候經常會出現區域性失效,意思就是某一塊區域整體都壞了,這個區域既可能出現在圓片的邊緣,也可能出現在圓片的正中心,有的圓片爛到整個中心都壞了,只有邊緣一點點是好的,這個時候你還會認為中心一定會比邊緣好嗎?

4樓:

不一定。

首先不存在統一的「體質」標準。

delay 小不一定意味著體質好,說不定 leakage 大呢。leakage 大的晶元在很多 binning 演算法下都會直接頂上 power budget 然後被 bin 成低端 sku。

其次,delay、power 和 yield 的分布都不是嚴格按照離圓心距離衰減。有的答案裡有研究截圖顯示了這個現象。

5樓:

晶園yield map 有各種各樣的map,center map, edge map, donut map, 22度角map,45度角map,notch map, field related map, 無數種map,當然最常見的還是random map. 所以題主你想買哪種map 的?

6樓:Rayzh

CPU的品質會受很多方面的影響.

首先是設計上, 架構是否合理, 選用的乘法器、加法器演算法是否合適,都會影響大CPU品質,這也是為什麼這個領域IP如此重要的原因。

其次是選擇製造的電晶體工藝,前段時間知乎上台積和三星之爭就是說的這個,這裡體現得差異就是MOS管的Ioff等這些引數。

再往下一層,MOS的引數受到光刻的CD、OVL、刻蝕的CD Bias、離子注入這些影響,這塊應該是題主想問的了,這些製程過程中Chamber的邊緣一致性和中心會有差異,所以邊緣比中心可能會略差些。

7樓:肖雄

在回答這個問題之前,我們得弄清所謂的"體質"是什麼意思。

用於製造晶元的晶元一般都是單晶矽。在製造過程中,晶元難免會有缺陷。所謂"體質"可以理解為單位面積內晶格缺陷的密度。

目前,生產晶元的主要方法是提拉法。提拉法是將構成晶體的原料放在坩堝中加熱熔化,在熔體表面接籽晶提拉熔體,在受控條件下,使籽晶和熔體在交介面上不斷進行原子或分子的重新排列,隨降溫逐漸凝固而生長出單晶體。生產過程中,提拉棒不斷旋轉,晶體從籽晶由內向外生長。

越向外排列出錯的概率越大,也就是說產生缺陷的概率越大。因此,從統計學上講,晶格缺陷的密度由內向外公升高。

對映回我們開始解釋的概念,即靠近中間的晶元體質好,外面的體質差。

8樓:Scort

cpu體質差不多就是玄學了,你也沒辦法挑。

單晶矽生長完成之後,中間純淨,外圍會有些許雜質,然而摻雜還是以後的事情。

原來的雜質再加上摻雜的雜質,會導致這些地方性能不好,有些可能是漏電率高,有些可能是其他情況,在測試環節,如果問題不大,這些地方就繼續用,也就是在預設頻率範圍這些地方都能工作,而高頻高溫可能會讓有問題的部分暴露出來,導致效能或者穩定性大幅下降,因此這些可能會成為不帶K的cpu,也可能成為體質比較差的帶k的,而那些確實不能用的地方,則會被遮蔽掉,成為低等級的cpu,所以,體質問題跟賭石的性質是差不多的。

9樓:LucasYang

矽晶圓(wafer)是由矽晶錠切割而成的,現在的十二寸晶圓大部分是由直拉法(CZ法)矽晶錠切割而成的,直拉法相對區熔法成本較低,產率大。其基本步驟為籽晶熔接、潤晶、縮頸、放肩、等徑生長、收尾。

在等徑生長過程中,由於雜質分凝、蒸發、坩堝玷汙、固液介面不平坦、拉晶速率不均勻等因素導致雜質縱向和徑向分布不均勻。

簡言之,最後切出來的晶圓上載流子濃度也不均勻,而半導體器件工作效能收載流子濃度影響較大。但並不代表著,越靠近中間的CPU效能越好。只能說相鄰的CPU效能較為接近,我們稱之為Lay out。

10樓:

邊緣和中心有區別,但未必是體質最好。

(最多說個,中心體質好的概率高於邊緣,絕對不可能說中心的個體必然比邊緣的個體好,然而這句也要看測試資料才能說出口)

這種INTEL肯定有大資料的,然而肯定是公司機密。

11樓:妖妖

這還要看光刻廠用的電,比如g3258,越南用湄公河水力發電,製造的u就是大雷,1.2v都上不了4g。哥斯大黎加用的南美木炭燒的火電,因此容易出大雕,1.

1v就能上8g。德國用阿爾卑斯的雪發電,但是由於雪力不能有效地發電,所以德國光刻廠生產的g3258數量是零

最近印度開發了一種雨cpu,利用乞拉朋齊的雨水作為cpu進行運算,估計其計算能力超過一百萬億個天河二,其基本原理是:雨水是導體,雨水之間的空氣是非導體,因此下雨的那塊天空整體可以看做乙個半導體以上

12樓:

純度高,所以體質好的可以先拖出去揍一頓——載流子不夠你拿嘴皮子導電?

光刻成像對CPU體質影響不大,本身就是一行一行掃過去的。如果你說成像有問題,那麼每一行都會有問題,不存在晶元中心的CPU獨好。

影響CPU體質的主要是刻蝕工藝刻蝕材料。積體電路本身也是電路,其導線和邏輯元件都是靠刻蝕/腐蝕做出來的,腐蝕多了少了都會使電路引數發生改變。顯然,不存在一種上料手段使腐蝕行為完美的均一化。

也因此,會無法避免地存在一部分電晶體無法在標稱電壓下工作,與另一部分電晶體在低於標稱電壓時即可正常工作。這兩種都是壞的早的……

以上內容大約是高中化學競賽與大學電氣工程會講到的內容,呃,還算有一點門檻。

我朝CPU製造瓶頸在刻蝕前體,也就是說沒有光刻機刻出來的待腐蝕面板。這也是為什麼我們總強調光刻機禁運這事,電路設計和材料優化(設計和選擇)是我朝可以直接用人才儲備堆出來的東西,不禁運,相當於無門檻。我朝擁有了最先進(同級先進)製程的CPU製造能力,那就是掌握了核心、最核心技術,就是往後以國家層面主導世界計算機產業的能力。

13樓:回眸一笑倒蒼生

cpu是用光刻機製造的,而光刻機和相機在原理上是相通的,都是利用透鏡組合,保證盡可能清晰的成像。

對於相機而言,中心的成像質量是最好的,而四周就會出現解析力下降甚至畸變。光刻裝置雖然比相機精密的多,但也逃不過這個自然規律。

被蚊子叮後常起水泡,似乎越靠近肢體末端越容易起,這是為何?

香菜有毒 每到夏天就特別痛苦T T 我從小到大被蚊子咬了之後,起先就是乙個正常的包,然後變的紅腫,又癢又痛,再之後紅腫的包上面就會長乙個小水泡,像這樣 這小水泡一開始是一點點大,你不管它,它就越長越大,完全沒有自爆的跡象 朋友都說我這像這個大鑽戒了.變這麼大,實在忍不住,就給它擠破了,破了之後就慢慢...

科學地解釋為什麼越靠近赤道的人身體越小呢?

森羅 這個論點本身不成立。a,主要因子身體大小取決於環境中是敵對因子,有敵對要素不斷淘汰弱小身體的模型,最後保留的就是強大的,如此反覆,該物種的後代會越來越強健。b,溫度的影響,很小,溫度同樣是個 微型 篩選器,撲殺體弱者,篩選出強壯的留存,長此以往,剩下的就越來越強健。c,自身用進退廢因子,生命中...

電場中乙個電荷是不是越難靠近該電場的源電荷電勢能越大,反之越容易靠近源電荷電勢能越小?

帥帥 正確正電荷 檢驗電荷 靠近正電荷 場源電荷 電勢能越大 負電荷 檢驗電荷 靠近負電荷 場源電荷 電勢能越大。同理若是負電荷也符合 這句話應該是 離負電荷越近,電勢越小。高中生還是別玩手機,有著時間來知乎問這個層次的問題,還不如問問學習成績好的同學來的快! 端木章不姓端 首先強調你是特指空間中只...