1樓：老夏
首先腔體有區別，LED不需要駐波而VCSEL需要駐波，腔長和波長有著特定的關係，其次對於DBR的設計沒有那麼嚴格，比如量子阱的結構也是不同的，相位等的計算也不需要那麼繁瑣，對於出光口徑也有所不同，經常VCSEL的出光口並不是對稱的。
設計的思路很接近，但是VCSEL在理論上要比LED難很多，尤其是高速和單偏振等引數上，並且器件的製作工藝和做好之後的處理也很多不一樣的地方。
2樓：Happy
本人從事紅外VCSEL外延2年了，區別還是有的，先說一樣的，從襯底上開始的外延層，下DBR ，阻擋層，有源區，阻擋層，上DBR，歐姆接觸層。都是這樣的三明治結構。
再來不同的，GaAs基VCSEL為例，
1，VCSEL的兩個DBR反射率較高，只是出光面DBR對數減少以適當降低反射率，而RCLED出光面DBR反射率相比於vcsel要小的多，VCSEL諧振腔的作用最重要的是濾波作用，提供單一波長的光，RCLED僅僅是使更多光通過增益介質，濾波作用很小。
2，雷射器對發散角要求較高，所以vcsel有源區結構有特殊設計，RC LED對發散角沒有要求
3，雷射器要求基模輸出抑制高階模，RDLED各種模式都有4，vcsel有氧化層，提高功率，降低閾值，RCLED不需要
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