1樓：好貓
我個人覺得你這思路就是錯的。光看這種晶元上的邏輯門何以千萬上億計，就算是幾十奈米級的，你怎麼分析?不清楚有沒有專用裝置。
說到底，你就是搞到晶元底片就行了，然後就能逆向仿製了。有這資金還不如找博士團隊分析邏輯功能，重新設計，那還快點。總之，晶元這東西，正常開發效率比較高，逆向研發就上當了。
只要有邏輯功能，好點的研究生用vhdl之類的語言寫一下再商用優化一下，不是太難。
2樓：jircheis
1.對金屬層及孔層，逐一去層，拍照，必要時要對影象邊緣進行銳化處理光學校準(涉及影象處理，某司的看家本領)
2.對BASELAYER( poly及以下)，謹慎的去層，染色，區分井，襯底，隔離，雙井…
3.對於不清晰或存疑的，轉SEM拍照，必要時做縱向。
心情好再放圖。
3樓：
顯微鏡下主要是看電路的走線。除此之外更主要的是要對電路的基本架構是了解的，能大概知道電路裡面有哪些主動元件。在此基礎之上通過觀察走線來還原電路的原理圖和布局。
4樓：
通常的逆向流程：用腐蝕劑逐層腐蝕晶元，拍照，測量，然後在版圖軟體裡照著畫。所有層金屬互聯層都腐蝕掉之後你就看見mos了。
pnmos怎麼區分我就不清楚了，因為加工之後顯微鏡下看起來沒啥太大差別。
總之就是先原封不動抄到版圖軟體裡。不想搞明白原理的話這一步已經可以去流片山寨版了。不過測量到的尺寸肯定是帶有極大誤差的。效能一般是一坨
然後用 layout extraction 工具就能提取出來管級網表。
接下來需要明白人去根據網表分析電路結構了
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