1樓：被情傷
關於規劃來說，無論是模擬仍是數字，量子力學根本用不到。假如學半導體工藝或器材方向的還有點用。 並且量子力學感覺就是理論，一堆的公式。除非搞科研，要不用途不大
2樓：閻浮提
取決於你以後想幹什麼。數字不論前端後端，都基本不用。模擬還是需要了解的，個人覺得高水平的模擬工程師對這個應該是比較精通的。
3樓：呆濤
(猜猜看這個MOS的長和寬各是多少?)
然後隨手加了乙個Contact:
這個設計(加上一些Patch)是可以通過DRC的. 也可以通過LVS (Layout Versus Schematic, 電路和版圖對應). 但是這樣的設計會影響到這個MOS管的有效長度!
. 如果這麼設計了乙個對稱性要求比較高的電路, 或者設計了乙個需要特別寬的MOS以通過大電流, 那麼這個長度的增加會嚴重影響後仿和出片的精度.
再就是, 許多時候設計走線, 還是需要考慮導線有效電容/有效電阻的. (話說 @yuki nagato 那天記得我問你關於無窮網路的問題其實Design Manual 裡面有寫答案...) ; 不僅是考慮Driving Strength, 也是考慮網格電壓降的情況.
恩... 少刷知乎多Layout.. 畫版圖惹... (_`)
4樓：maythe4thbewithu
IC設計本身就是很籠統的說法，像搞數字IC的，他們前後端分的非常清楚，界限分明，絕大部分人只做那麼一小部分，做數字還能從頭做到尾的那是大牛。
但是如果講到模擬IC那就不一樣了，前後端界限很模糊，在學校階段做的專案從設計電路到畫layout、後仿，到交付GDS資料，甚至流片回來測試全程就你們那麼幾個人在搞，到了公司你還得跟layout工程師交流，你說你不懂半導體器件物理？臥槽，很難。其實，模擬IC設計的那幾本Bible你仔細看preface，大神們告訴了你在讀他的書之前你需要知道哪些東西，必然包括半導體器件物理方面的要求。
儘管書中會有章節講到這些基礎內容，但我覺得那些多半是給那些已經學過器件物理的人複習用的，假如你是個智商普通的門外漢想通過短短乙個章節就搞懂器件物理，那我只能說你想多了。
我已經工作了，剛剛提醒我有了乙個贊，想起來回答過這個問題，稍微補充一下吧，算是更新。
去年的時候開始找工作，面試了很多公司，有成功也有失敗，總的來講，如果面試的時候你能展現出你對半導體物理和器件的知識可以給你加不少分，甚至假如你原來對器件這方面理解的很精深，抑或是讀過器件建模方面的書，比如，operation and modeling of the MOS transistor之類，即便拉神、Gray等大神的們的電路你還有不明白的地方，你沒有過tapeout，沒有關係啊，你可以把面試變成你的獨角戲，你可以牽著面試官的鼻子走啊！你展現出對基礎知識的精深會讓面試官覺得你很有潛力，你現在不用很厲害嘛，來了我們教你做電路啊。
舉個反例吧，要對不住我的乙個同學了，他進了某公司的技術面了，MOS管做電容的時候有很經典的C_V曲線，面試官需要他解釋一下，其實很簡單的問題，任何一本半導體物理或者器件的書上都會講的很明白，他忘了。或者也從來沒認真思考過電路中MOS管做電容的條件是什麼，為什麼這樣的問題，儘管有師兄力薦，在公司缺人需要發展的前提下，我的這位同學仍然被pass掉了，甚至給了第二次面試的機會，但是第一輪給面試官留下的對半導體物理一無所知的印象還是太差了。
所以說，你不懂半導體物理器件，怎麼能來做模擬電路工程師呢？假如我以後成為面試官，這方面的問題也會是首選考察的。/2016.6.30
5樓：F小姐123
研究生期間的科研方向是模擬IC設計，做了3年。畢業後從事數字IC驗證，到目前將近一年了。雖然我是新人，但也談談自己的體驗。
做模擬IC設計的時候，還是需要一些半導體器件與物理知識的，但並不需要太深入。比方載流子的遷移率、MOS器件的結構與原理、寄生效應、閂鎖效應、各種cap與res的結構與區別等。我自己的半導體物理基礎很差，但感覺模擬IC涉及到的器件物理知識還是比較好掌握的，難點並不在這裡。
畢業後跨方向就業，推翻了重新學，感覺數字IC與模擬IC的設計思路挺不一樣的。數字IC規模更大，考慮的問題很有概括性，也比較巨集觀。我花了一段時間才適應這種思維方式。
我以前就數字IC的前端來看，幾乎不需要器件物理的知識，即便你完全不懂MOS管是個神馬東東，也幾乎不影響你勝任自己的工作。
總之，我覺得無論是模擬還是數字IC，只要做設計，器件物理的知識並不是重點和難點，反倒從系統層面去考慮問題蠻重要的。當然只是乙個新手菜鳥的看法，請大家批評指正
6樓：龔黎明
對於我們這種搞前端的人而言，沒有任何影響。除了看後端的報告，修一些outbound，timing ECO的時候會簡單考慮一下，但也不需要知道那麼細。只需要知道什麼cell驅動能力強，什麼cell各種corner case下穩定性更好等即可。
而這些都只是對比其他同類cell大概毛估一下，不需要什麼理論。
7樓：johns yb
我覺得挺有用的。
我自己到目前最大的收益，就是對各種cap理解了好多。特別是MOS CAP， NCAP, PCAP, PMOS CAP和NMOS CAP。
還有設計的時候就會考慮各種Nwell to sub diode，T-well to Deep Nwell diode這些帶來的parasitic的影響， 等等。
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宮驍 推薦 Semiconductor Physics and Devices，Fourth Edition，Donald A.Neamen 目前為止我讀過的半導體物理最好的參考書。 麥格勞希爾 向你推薦2018年6月由電子工業出版社組織天津大學在微電子方向從事教學 科研的一線老師重新翻譯的 半導體...
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打鐵燒磚 就是拼PN結的兩塊半導體材料的材料種類，或者說晶體結構不一樣。比如GaAs Si 兩種材料拼一起 Si 晶體Si也可以。另外我們有時候在講的時候會忽略這兩個材料之間的buffer layer。可千萬不要小看這小小的trick，其特色就是能帶結構會發生改變，之後半導體的很多性質都會變。異質結...
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