單通道10Gbps以上的傳輸速度是如何實現的?

時間 2021-05-31 13:40:14

1樓:傅懷安

做25、28Gb/s NRZ的接收機已經兩年了,突發和連續的都做過。

首先要做這麼高速,工藝要先進,CMOS的話至少要65nm製程以上;

其次要有一些電路的技巧,CTLE, DFE是要做的,TX端還要FFE來抵抗wirebond和PCB channel的高頻loss,這些不算什麼黑科技,大家都會做;

最後PCB板子也要高速板,普通板子損耗太大。

題外話,做了這麼久感覺最難的還是高靈敏度。

2樓:李毅

Serdes 的黑科技當然是有一籮筐,受益於資料頻寬需求的不斷提高(資料中心,100GbE交換機),技術還在不斷演化。

對於10Gbps 以上的單行道來說,最重要的就是DFE通道衰減補償。你所看到的這張圖,DFE應該是採用了unroll的構架,兩個眼圖上下平移疊加而成,所以你看到的眼圖左右不對稱。為了得到這點張開的eye,還開了tx端的FFE。

受制於PLL clock的random noise,高斯分布無邊界,嚴重影響BER。X方向很難壓縮,於是在y方向想辦法,在56G的主流構架上面,採用了PAM4編碼(4 level 電平訊號)和類似ADC前段取樣,數字均衡。

4個50Gbps的單通道構成了400GbE,can you imagine 800GbE(乙太網) is coming?

3樓:卷積雲

大概是砷化鎵的晶元吧。這麼說吧,我們現在玩的幾個GHz的、基於矽片的裝置,測試是怎麼實現的?測試儀器要求的取樣頻率怎麼也得是你工作頻率的5倍、甚至10倍吧。

這些工作在幾十G、幾百G的電路,基本上都是砷化鎵工藝的晶元當主角的。

砷化鎵、還有據說能代替它的氮化鎵工藝,都是死貴的。除去儀器行業,我知道的只有軍品和光纖通訊也用。

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