1樓：電子元器件
當柵-源電壓VGS=0時，即使加上漏-源電壓VDS，總有乙個PN結處於反偏狀態，漏-源極間沒有導電溝道（沒有電流流過），所以這時漏極電流ID=0。此時若在柵-源極間加上正向電壓，即VGS＞0，則柵極和矽襯底之間的SiO2絕緣層中便產生乙個柵極指向P型矽襯底的電場，由於氧化物層是絕緣的，柵極所加電壓VGS無法形成電流，氧化物層的兩邊就形成了乙個電容。
VGS等效是對這個電容充電，並形成乙個電場，隨著VGS逐漸公升高，受柵極正電壓的吸引，在這個電容的另一邊就聚集大量的電子並形成了乙個從漏極到源極的N型導電溝道。當VGS大於管子的開啟電壓VT（一般約為2V）時，N溝道管開始導通，形成漏極電流ID，我們把開始形成溝道時的柵-源極電壓稱為開啟電壓，一般用VT表示。控制柵極電壓VGS的大小改變了電場的強弱，就可以達到控制漏極電流ID的大小的目的。
2樓：Steven lam
應用過程中的一點小感受，僅供參考：
1.BJT（即三極體）的基極至射極電壓比較固定（PN結電壓，矽 ：0.
5~0.7；鍺：0.
2~0.3），集極電流由基極電流控制，形成一定比值（放大倍數）；MOS的柵極至源極電壓可調整，注意不要超壓導致燒毀，（一般為0~15V或0~－15V，視管子特性），柵源壓差決定了漏極電流。
2.控制輸出大電流時，BJT需要用較大的電流注入來控制（第1點中講到的倍數關係），MOS則不需要，電壓夠就行。
3.MOS柵源間為高阻態，會產生電容效應，減慢了反應速度，而且在儲存和使用中要注意靜電防護，極易擊穿。
一般說來C_B_E是對應了D_G_S，但用法不同。具體還有很多需要你自己去了解，記住在理論實操間往返多幾次，就都明白了。
MOS管 三極體 IGBT之間的因果關係是什麼呢？
諾帝 泰德蘭電子 提供美國AOS萬代高低壓MOS管功率MOSFET的型號選型推薦及應用問題分析技術支援以及mojay茂捷的AC DC,torex特瑞仕的DC DC電源IC 霍尼韋爾 Honeywell 感測器等方案型號推薦 MOS管 三極體 IGBT之間的因果關係？答 MOS管 三極體 IGBT之間...
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雨後天藍 題主的問題，在於對三極體等效模型理解的偏差，三極體的等效電路，不是從考察研究三極體內部結構而來的，是對外部特性的分析與等效，即分析特性曲線上的電壓電流關係等效成容易分析的簡單電路。輸入特性，是基極電流與Ube的關係，本來是條曲線，但加上 微變 的條件，在合適的工作點附近，可以看成一條近似直...
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